· IGBT芯片及模塊
功能亮點(diǎn)：
產(chǎn)品覆蓋650V-6500V全電壓等級(jí)IGBT，具有高電流密度、低開關(guān)損耗、高短路功能、低導(dǎo)通壓降、軟關(guān)斷特性、裕量大等特點(diǎn)，可滿足智能電網(wǎng)、軌道交通、新能源汽車、新能源發(fā)電、工業(yè)控制等多個(gè)領(lǐng)域應(yīng)用需求。
· SIC功率器件
功能亮點(diǎn)：
產(chǎn)品覆蓋650V-3300V SiC SBD和SiC MOSFET,采用第三代精細(xì)平面柵/第四代溝槽柵技術(shù)、體二極管續(xù)流，比導(dǎo)通電陽最低可到1.8mhom·cm2可滿足新能源汽車主驅(qū)、OBC、DC/DC、充電樁、新能源發(fā)電、測(cè)試電源、軌道交通等復(fù)雜、高可靠性應(yīng)用工況需求。
· 雙極器件
功能亮點(diǎn)：
產(chǎn)品包括晶閘管、整流管、IGCT等,電壓覆蓋等級(jí)600V-8500V,可滿足高壓直流輸電、機(jī)車牽引與傳動(dòng)、靜態(tài)無功補(bǔ)償、軟啟動(dòng)等多個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用需求。