針對功率半導(dǎo)體的原始創(chuàng)新不足和體系化不強(qiáng)，聚焦高性能高密度集成的新結(jié)構(gòu)器件和SiC、GaN等寬禁帶功率半導(dǎo)體及集成技術(shù)，增強(qiáng)兩大研究方向“新型功率芯片與特色工藝、先進(jìn)封裝架構(gòu)與智能集成”的原創(chuàng)能力。重點(diǎn)攻關(guān)底層器件機(jī)理、新型材料、先進(jìn)工藝、智能集成等關(guān)鍵支撐技術(shù)。融合先進(jìn)集成電路制造和寬禁帶半導(dǎo)體材料優(yōu)勢，加速推動功率芯片低損耗高頻化、功率器件智能集成化發(fā)展。五年內(nèi)，全面實(shí)現(xiàn)我國功率半導(dǎo)體技術(shù)“從弱到強(qiáng)”的提升；十年內(nèi)，全面實(shí)現(xiàn)我國功率半導(dǎo)體器件從“應(yīng)用大國”到“創(chuàng)新強(qiáng)國”的轉(zhuǎn)變。